美光成业内第一家宣布量产1Znm工艺内存厂商

  • 日期:09-08
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[天际网DIY硬件频道]美光公司宣布在1Znm工艺中大规模生产16Gb DDR4内存,以及第三代内存大规模生产1Znm工艺,这使得美光成为第一家大规模生产1Znm工艺的公司,比三星更快。

Micron表示,1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供比上一代1Ynm工艺更高的密度,更高的性能和更低的成本。美光没有提供具体数据。没有关于性能和成本降低的确切数据。唯一确切的是1Znm 16Gb DDR4内存比上一代8Gb DDR4低约40%。

根据Micron发布的路线图,1Znm后将有1αnm,1βnm和1γnm,因此在10nm水平上有6个制造工艺。由于制造难度越来越大,在存储器进入20nm之后,存储芯片公司对工艺的定义不是特定的线宽,而是分为1X,1Y,1Z。一般来说,1Xnm工艺相当于16-19nm级别,1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。

美光科技还宣布推出基于UFS多芯片封装uMCP的业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存,满足业界对低功耗和小封装的要求。

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Micron表示,1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供比上一代1Ynm工艺更高的密度,更高的性能和更低的成本。美光没有提供具体数据。没有关于性能和成本降低的确切数据。唯一确切的是1Znm 16Gb DDR4内存比上一代8Gb DDR4低约40%。

根据Micron发布的路线图,1Znm后将有1αnm,1βnm和1γnm,因此在10nm水平上有6个制造工艺。由于制造难度越来越大,在存储器进入20nm之后,存储芯片公司对工艺的定义不是特定的线宽,而是分为1X,1Y,1Z。一般来说,1Xnm工艺相当于16-19nm级别,1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。

美光科技还宣布推出基于UFS多芯片封装uMCP的业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存,满足业界对低功耗和小封装的要求。

[天际网DIY硬件频道]美光公司宣布在1Znm工艺中大规模生产16Gb DDR4内存,以及第三代内存大规模生产1Znm工艺,这使得美光成为第一家大规模生产1Znm工艺的公司,比三星更快。

Micron表示,1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供比上一代1Ynm工艺更高的密度,更高的性能和更低的成本。美光没有提供具体数据。没有关于性能和成本降低的确切数据。唯一确切的是1Znm 16Gb DDR4内存比上一代8Gb DDR4低约40%。

根据Micron发布的路线图,1Znm后将有1αnm,1βnm和1γnm,因此在10nm水平上有6个制造工艺。由于制造难度越来越大,在存储器进入20nm之后,存储芯片公司对工艺的定义不是特定的线宽,而是分为1X,1Y,1Z。一般来说,1Xnm工艺相当于16-19nm级别,1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。

美光科技还宣布推出基于UFS多芯片封装uMCP的业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存,满足业界对低功耗和小封装的要求。

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Meguiar宣布大规模生产用于1Znm工艺的16Gb DDR4内存和用于1Znm工艺的第三代内存,使Meguiar成为业界第一家以比三星更快速度大规模生产1Znm工艺的公司。

Meguiar表示,1Znm 16Gb DDR4内存芯片可提供比上一代1Ynm工艺更高的密度,更高的性能和更低的成本。 Meguiar没有给出具体数据,性能提升和成本降低尚未得到精确数据,唯一更准确的是1Znm 16Gb DDR4内存比上一代8Gb DDR4降低了约40%的功耗。

根据Meguiar的路线图,在1Znm之后,将有1alpha,1beta和1gamma纳米,因此在10nm级别有6个制造工艺。随着制造变得越来越困难,存储芯片公司的技术定义在存储器进入20nm后被分为1X,1Y和1Z而不是特定的线宽。一般来说,1Xnm工艺相当于16-19nm,1Ynm工艺相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm。

Meguiar还宣布将推出一批基于UFS多芯片封装uMCP的16Gb LPDDR4X内存,满足业界对低功耗和小封装的要求。

Meguiar宣布大规模生产用于1Znm工艺的16Gb DDR4内存和用于1Znm工艺的第三代内存,使Meguiar成为业界第一家以比三星更快速度大规模生产1Znm工艺的公司。

Micron表示,1Znm 16Gb DDR4内存芯片可以提供比上一代1Ynm工艺更高的密度,更高的性能和更低的成本。美光没有提供具体数据。没有关于性能和成本降低的确切数据。唯一确切的是1Znm 16Gb DDR4内存比上一代8Gb DDR4低约40%。

根据Micron发布的路线图,1Znm后将有1αnm,1βnm和1γnm,因此在10nm水平上有6个制造工艺。由于制造难度越来越大,在存储器进入20nm之后,存储芯片公司对工艺的定义不是特定的线宽,而是分为1X,1Y,1Z。一般来说,1Xnm工艺相当于16-19nm级别,1Ynm相当于14-16nm,1Znm工艺相当于12-14nm级别。

美光科技还宣布推出基于UFS多芯片封装uMCP的业界容量最高的16Gb LPDDR4X内存,满足业界对低功耗和小封装的要求。